三星電子今年可能提高高頻寬記憶體（HBM）晶片產量近三倍。美聯社
全球記憶體晶片製造商龍頭三星電子今年可能提高高頻寬記憶體（HBM）晶片產量近三倍，以搶得人工智慧（AI）記憶體晶片市場的領導地位。此外，引領HBM市場的SK海力士（SK Hynix）坦承，正尋求在美國興建晶片封裝廠。
韓國經濟日報報導，三星電子執行副總裁兼DRAM產品與科技部門主管黃相中（音譯，Hwang Sang-joong）於26日在美國加州聖荷西舉辦的Memcon 2024活動表示，他預期三星電子今年的HBM產量將比去年增加2.9倍，多於三星電子今年初在拉斯維加斯消費電子展（CES）預估的2.5倍。
他說，在已開始量產的第三代HBM2E和第四代HBM3後，三星電子計劃今年上半年大量生產12層的第五代HBM、及以32GB爲基礎的128 GB DDR5，「有了這些產品，我們預期將強化我們在AI時代的高效、高容量記憶體市佔」。
三星電子也發表HBM發展路線圖，希望2026年的HBM出貨量能比2023年多出13.8倍，2028年的HBM年產量更要比2023年高出23.1倍。該公司也展示首款12堆疊HBM3E DRAM「HBM3E 12H」晶片，目前已送出樣品給客戶，計劃今年上半年開始量產。
另據日經新聞報導，在媒體披露SK海力士計劃在印第安納州投資約40億美元興建一座工廠後，SK海力士執行長郭魯正27日坦承，「正在考慮建廠，但還沒敲定任何事情」。